3月20日上午，钱伟长讲坛第73讲《宽禁带氧化物半导体载流子调控与应用》在上海大学宝山校区乐乎新楼学海厅顺利举行。中国科学院院士、东北师范大学原校长刘益春教授应邀做主题报告，讲座由校党委副书记段勇教授主持，30116金沙js9-30116金沙js9、材料基因组工程研究院、理学院、材料学院、微电子学院等学院的师生代表参加了本次讲座。
讲坛伊始，段勇教授向大家介绍了钱伟长讲坛的基本情况并对刘益春院士的研究方向、学术任职和科学贡献做了介绍。
刘院士首先讲解了课题研究的背景和思路，通过对半导体材料的发展、载流子调控如何获得高性能材料与器件及氧化物半导体界面的一些新现象等三方面的讲述，引出了氧化物材料与器件领域的基本问题和核心问题，让大家对报告主题有所了解。接着，刘院士分别从载流子动力学调控与类脑忆阻器、载流子动力学调控与高密度全息光存储、载流子热力学调控与光电功能材料三方面具体介绍了自己团队的科研工作。
随后，刘院士从忆阻器的发现讲起，通过忆阻器实现对艾宾浩斯“记忆—遗忘”曲线的完整模拟、经典BCM理论来展现氧化物忆阻器基础、高级类脑功能的仿生模拟，后以巴甫洛夫狗为例，生动地讲解了氧化物忆阻器的高级协同认知功能。然后，刘院士以氧化锌为例，介绍了氧化物半导体阴离子的“反向掺杂”的思想和方法。最后，刘院士进行总结，表明自己更多讲解的是方法，怎么思考、解决一个非常重要的问题，并祝愿上海大学的发展越来越好。
在提问环节，刘益春院士对师生提出的为什么半导体材料里少数载流子决定其性质、我国类脑研究在国际上处于什么水平、“反向掺杂”技术具体如何实现、一维材料在光电器件里的应用等问题一一给出了学术的、专业的回答，现场交流氛围浓烈。
讲坛最后，段勇教授做了简单总结，呼吁上大学子以刘益春院士为榜样，勇攀科学高峰，在各自的领域都能做出优异成绩，并再次向刘院士表达了感谢。（撰稿：李蝉羽；摄影：阮杜娟等）